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晶体管
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BSL205N H6327

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库存：16,644(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4691
34.691
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6385
1638.5
3,000
¥1.4012
4203.6
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms, 39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC, 3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
系列
BSL205
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8.6 S, 8.6 S
下降时间
2.4 ns, 2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.9 ns, 2.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间
5.8 ns, 5.8 ns
零件号别名
BSL205NH6327XTSA1 SP001100646
商品其它信息
优势价格，BSL205N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4128
参考库存:2307
IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.311
3,000:¥5.311
参考库存:7709
IRL2910STRRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET PLANAR_MOSFETS
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
500:¥13.447
800:¥13.447
参考库存:6566
STP33N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥28.5099
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
参考库存:2498
STD19N3LLH6AG
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
2,500:¥2.4973
参考库存:13125

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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