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晶体管
IRFPS3815PBF参考图片

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IRFPS3815PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 260nC
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数量单价合计
1
¥50.5562
50.5562
10
¥45.7198
457.198
25
¥43.5728
1089.32
100
¥37.8776
3787.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
105 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
260 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
441 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SP001556840
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Power Transistor
1:¥2.5312
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100:¥0.7684
500:¥0.58421
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9,000:查看
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1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
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晶体管
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1:¥6.0681
10:¥5.0511
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
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10:¥2.0679
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31:¥211.6151
100:¥196.5522
250:¥180.348
500:¥171.6583
参考库存:30272
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    50万现货SKU

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