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晶体管
SIZ328DT-T1-GE3参考图片

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SIZ328DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3
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库存:34,933(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥5.8873
58.873
100
¥4.4635
446.35
500
¥3.6838
1841.9
3,000
¥2.6781
8034.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-3x3-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
25.3 A, 30 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms, 15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 12 V, 16 V
Qg-栅极电荷
6.9 nC, 11.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
16.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAIR
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S, 42 S
下降时间
5 ns, 5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns, 11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 15 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 8 ns
商品其它信息
优势价格,SIZ328DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥12,788.2552
参考库存:24137
晶体管
MOSFET 75V 170A 4.1 mOhm Automotive MOSFET
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
800:¥16.5206
2,400:查看
参考库存:24142
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥1.5255
10,000:¥1.4238
25,000:¥1.3447
50,000:¥1.3108
参考库存:24147
晶体管
IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
1:¥48.025
10:¥43.4146
25:¥41.4145
100:¥35.9566
参考库存:24152
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR PNP -45V -0.1A HALOGEN-FREE
1:¥1.8419
10:¥1.1639
100:¥0.52997
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.25312
参考库存:24157
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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