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晶体管
FQPF9N25CYDTU参考图片

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FQPF9N25CYDTU

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库存:3,811(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.3734
103.734
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2433
3621.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
8.8 A
Rds On-漏源导通电阻
430 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQPF9N25C
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
2.565 g
商品其它信息
优势价格,FQPF9N25CYDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.5997
250:¥15.9782
参考库存:32466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
参考库存:12683
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.6787
10:¥13.3679
100:¥10.8367
500:¥8.5315
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:200720
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
1:¥4.1471
10:¥2.3956
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.72207
参考库存:57692
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 8V-24V
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:17849
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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