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晶体管
IPP65R190E6参考图片

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IPP65R190E6

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库存:3,244(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.052
23.052
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.9839
1698.39
250
¥16.1364
4034.1
500
¥14.4414
7220.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
112 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP65R190E6XKSA1 IPP65R19E6XK SP000849876
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,IPP65R190E6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,000:¥17.289
2,000:查看
参考库存:7694
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.6048
4,000:¥3.9211
8,000:查看
参考库存:18851
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 12nC
1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
2,500:¥2.486
参考库存:2648
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
1:¥5.1528
10:¥4.3166
100:¥2.7911
1,000:¥2.2374
5,000:¥1.8871
参考库存:45490
晶体管
MOSFET N-Chnl 100 V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:10712
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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