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无线和射频半导体
CGH60120D-GP4参考图片

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CGH60120D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
120 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
高度
100 um
长度
5.26 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
8 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH60120D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CC2640F128RSMT
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SimpleLink Ultra LP Wireless MCU
1:¥35.9566
10:¥32.3519
100:¥26.4307
250:¥24.8148
500:¥22.5096
参考库存:7049
TGF2929-FL
Qorvo
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
1:¥2,881.50
25:¥2,600.5707
参考库存:3151
PD55003L-E
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥70.3086
10:¥63.2348
25:¥57.63
50:¥53.7089
3,000:¥34.7362
参考库存:12123
DA14583-01F01AT2
Dialog Semiconductor
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 4.2 SoC with integrated 1Mb Flash memory 24 GPIOs in QFN40 and 0.4mm pin pitch package
1:¥29.8885
10:¥23.9786
100:¥21.8994
250:¥19.7524
5,000:¥13.6052
参考库存:18590
HMC1118LP3DETR
Analog Devices
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPDT Main Ver. w/27dBm handling @ term
1:¥102.9656
10:¥94.6714
25:¥90.7503
100:¥79.9136
500:¥74.4557
参考库存:4967

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    50万现货SKU

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