HMC445LP4E详细信息_HMC445LP4E相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-24
类型	HBT MMIC Amplifier
技术	GaAs
工作频率	9.9 GHz to 11 GHz
增益	-
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	-
工作电源电流	78 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC445
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	28 dB
Pd-功率耗散	750 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	1 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
HMC651-SX	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 GaAs MMIC 12-mil Thru Line DC-65 GHz	2:¥301.371 6:¥292.8395 10:¥281.1553 26:¥260.9509	参考库存:4907
BF998E6327HTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA	1:¥3.3787 10:¥2.6329 100:¥1.4238 1,000:¥1.06785 3,000:¥0.92208 9,000:¥0.86106	参考库存:46544
LMV228TL/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频检测器 NRND no replacement	1:¥12.4526 10:¥10.5994 100:¥8.1473 250:¥8.1473 500:¥7.1642	参考库存:5961
SD2932	Advanced Semiconductor, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥1,061.3864 10:¥973.947 25:¥874.055 50:¥774.163	参考库存:4973
VRF3933	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥891.344 2:¥863.6816 5:¥863.3765 10:¥835.5559	参考库存:4885