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无线和射频半导体
PD57030S-E参考图片

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PD57030S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
400
¥262.3295
104931.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57030-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD57030S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI1023-B-GM3
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, programmable XCVR, DC-DC buck
480:¥46.4882
960:¥46.1831
1,440:¥45.6407
参考库存:50085
SI4721-B20-GMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频收发器 FM Tx/Rx with RDS and receive power scan
2,500:¥84.524
参考库存:50090
EZR32WG330F128R68G-B0
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 128 kB M4, USB, +20 dBm Pro2+, QFN64 wireless MCU
260:¥41.2676
520:¥38.9624
1,040:¥38.3409
参考库存:50095
HMC524ALC3BTR-R5
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射频混合器 GaAs MMIC I/Q Mixer IRM Chip, 22 - 32
500:¥228.2148
参考库存:50100
HMC1019ALP4ETR
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 0.5 dB LSB 5-Bit dig attenuator
500:¥769.9368
参考库存:50105

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