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无线和射频半导体
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D2009UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
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数量单价合计
50
¥619.5564
30977.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DQ
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
58 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2009UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ams
无线和射频半导体
RFID应答器 AS3956-ATDT-S4 MLPD10 LF T&RDP
1:¥17.7523
10:¥14.2945
100:¥12.9046
250:¥11.4469
10,000:¥7.1529
参考库存:56310
无线和射频半导体
射频放大器 10-15GHz LNA
3,000:¥115.7233
参考库存:56315
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥2,284.6792
5:¥2,217.5233
10:¥2,078.748
25:¥2,029.2653
参考库存:56320
无线和射频半导体
射频接收器 AM/FM//RDS/DAB/DAB+ receiver
1:¥95.4398
10:¥89.7446
25:¥86.9874
50:¥84.1398
参考库存:56325
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs PHEMT MMIC 1 WATT PA 7.0 - 9.0GHz
2:¥818.1878
6:¥791.8362
10:¥776.0049
26:¥744.3536
参考库存:56330
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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