HMC382LP3E详细信息_HMC382LP3E相关参数PDF_Analog Devices / Hittite-维基芯城

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	1.7 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点	16 dBm
增益	17 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	1 dB
OIP3 - 三阶截点	29.5 dBm
工作电源电流	67.4 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC382
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	13 dB
Pd-功率耗散	0.451 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	57.100 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STS3922X54BAAG	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端	477:¥14.9838 954:¥13.447 1,431:¥11.30 2,862:¥10.7576	参考库存:45671
SMA611	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5-700NHz NF 3.2 dB Gain 15.0dB	20:¥952.5109	参考库存:45676
MF1SEP1021DA8/03BJ	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	RFID应答器 MF1SEP1021DA8/PLLMC//03B/REEL 13 Q1 NDP	30,000:¥3.3448	参考库存:45681
ATMEGA2561R231-MU	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU ATmega 2561V-8MU AT86RF231-ZU	118:¥99.3496 250:¥90.7503 500:¥84.9082 1,000:¥78.2186	参考库存:45686
AFT26P100-4WGSR3	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V	250:¥636.1561	参考库存:45691

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