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无线和射频半导体
BFR 360F H6327参考图片

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BFR 360F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR360
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
160
工作频率
3.5 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
14 GHz
Pd-功率耗散
210 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR360FH6327XTSA1 BFR36FH6327XT SP000750428
商品其它信息
优势价格，BFR 360F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CYW20733A2KFB1GT
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参考库存:46259

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