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无线和射频半导体
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SD57030

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
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数量单价合计
1
¥437.3778
437.3778
5
¥427.5355
2137.6775
10
¥410.868
4108.68
25
¥397.5679
9939.1975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M243-3
封装
Bulk
配置
Single
高度
4.45 mm
长度
20.57 mm
工作频率
1 GHz
系列
SD57030
类型
RF Power MOSFET
宽度
6.1 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1.8 S
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
74 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD57030的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AWB7230P8
Skyworks Solutions, Inc.
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50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
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MA4P7455-1146T
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2,000:¥26.5098
参考库存:45641

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