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无线和射频半导体
TGF2018参考图片

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TGF2018

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
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数量单价合计
100
¥44.7932
4479.32
300
¥41.8778
12563.34
500
¥39.1093
19554.65
1,000
¥36.5781
36578.1
2,500
¥36.4199
91049.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
14 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 15 V
Id-连续漏极电流
58 mA
最大漏极/栅极电压
12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
640 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
70 mS
NF—噪声系数
1 dB
P1dB - 压缩点
22 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098412
商品其它信息
优势价格,TGF2018的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 5dB
1:¥1.3108
50:¥0.99892
100:¥0.95259
500:¥0.73789
1,000:¥0.61472
4,000:¥0.53788
参考库存:23823
无线和射频半导体
射频发射器 SX1243 IN DFN PCKGE (MLPD-UT)
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥5.9551
1,000:¥4.7008
3,000:¥4.1697
参考库存:30665
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥354.4584
250:¥354.4584
参考库存:5752
无线和射频半导体
衰减器 .05-6GHz 7 BIT GCR31.75dB Step.25dB
1:¥33.1203
25:¥25.3572
100:¥19.8202
250:¥16.4415
2,500:¥11.3678
参考库存:16689
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN32 sub-GHz extended 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO SoC
1:¥46.6464
10:¥45.7989
25:¥44.8723
50:¥43.1886
参考库存:5521
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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