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无线和射频半导体
SD4933MR参考图片

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SD4933MR

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
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数量单价合计
1
¥1,081.6021
1081.6021
5
¥1,060.392
5301.96
10
¥1,010.9884
10109.884
25
¥989.6992
24742.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
24 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M177MR-5
封装
Tray
配置
Triple
工作频率
100 MHz
系列
SD4933MR
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
商品其它信息
优势价格,SD4933MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 .5-12GHz Ls=.4nH 100W Pk
1:¥23.4362
10:¥18.984
100:¥15.142
500:¥13.221
3,000:¥9.9101
参考库存:7570
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V F
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
参考库存:40072
IDT
无线和射频半导体
衰减器 Wideband Variable RF 1.4dB 2K MHz 33.6dB
1:¥60.8618
10:¥55.7881
25:¥50.7144
50:¥48.1832
2,500:¥32.9621
参考库存:15699
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
1:¥2,507.4474
参考库存:1781
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Blue Gecko SoC, 2.4 GHz/sub-GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, +20 dBm, QFN-48, BLE, proprietary
1:¥61.246
10:¥57.856
25:¥56.1723
50:¥54.3982
参考库存:3218
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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