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无线和射频半导体
PD20010-E参考图片

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PD20010-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:5,806(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥139.5437
139.5437
10
¥128.3228
1283.228
25
¥123.0231
3075.5775
100
¥108.3444
10834.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
2 GHz
系列
PD20010-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD20010-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 5dB
1:¥1.3108
50:¥0.99892
100:¥0.95259
500:¥0.73789
1,000:¥0.61472
4,000:¥0.53788
参考库存:23823
无线和射频半导体
射频发射器 SX1243 IN DFN PCKGE (MLPD-UT)
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥5.9551
1,000:¥4.7008
3,000:¥4.1697
参考库存:30665
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥354.4584
250:¥354.4584
参考库存:5752
无线和射频半导体
衰减器 .05-6GHz 7 BIT GCR31.75dB Step.25dB
1:¥33.1203
25:¥25.3572
100:¥19.8202
250:¥16.4415
2,500:¥11.3678
参考库存:16689
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Premium SoC QFN32 sub-GHz extended 19.5 dB proprietary 256 kB 32 kB (RAM) 16GPIO SoC
1:¥46.6464
10:¥45.7989
25:¥44.8723
50:¥43.1886
参考库存:5521
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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