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无线和射频半导体
QPD1025L参考图片

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QPD1025L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
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1
¥6,170.252
6170.252
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22.9 dB
Id-连续漏极电流
28 A
输出功率
1.5 kW
最大漏极/栅极电压
225 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
758 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
应用
Avionics, IFF Transponders
配置
Dual Gate Dual Drain
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1025LEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1025L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
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无线和射频半导体
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1:¥16.9048
10:¥16.0573
100:¥14.8256
250:¥13.1419
2,500:¥5.6613
参考库存:12404
无线和射频半导体
射频发射器 8051 Sub-GHz RF transmitter
1:¥19.5942
10:¥18.5207
25:¥17.9783
50:¥17.4472
参考库存:3011
无线和射频半导体
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1:¥165.8162
10:¥160.6747
25:¥140.0748
50:¥130.9331
参考库存:1268
无线和射频半导体
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1:¥922.08
25:¥753.032
100:¥622.404
参考库存:1115
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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