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无线和射频半导体
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D1011UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE
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¥171.5114
17151.14
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参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1011UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4362-C2A-GMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频接收器 RX -116dBm SubG
1:¥17.7523
10:¥17.2099
25:¥17.063
50:¥16.6788
2,500:¥15.5262
参考库存:7040
TH72012KDC-BAA-000-TU
Melexis
无线和射频半导体
射频发射器 433MHz ASK Transmitter
1:¥18.3625
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.3734
参考库存:7797
ATSAMR21E16A-MF
Microchip Technology / Atmel
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射频微控制器 - MCU SAMR21 32pin 64K 125C
1:¥32.883
10:¥32.431
25:¥30.0467
参考库存:5074
2SC5108-Y,LF
Toshiba
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3786
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.84524
参考库存:11881
BAP65-02,135
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 30V 100mA Single
1:¥2.6894
10:¥2.0566
100:¥1.11418
1,000:¥0.83733
10,000:¥0.67574
参考库存:52548

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