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无线和射频半导体
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D1011UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE
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17151.14
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1011UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F2932NBGP8
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC F2932 RF Switch
1:¥30.1258
10:¥26.894
25:¥24.2046
100:¥22.0576
2,500:¥14.3736
参考库存:14560
SI4063-B1B-FMR
Silicon Labs
无线和射频半导体
射频发射器 +20 dBm sub-GHz transmitter
1:¥15.7522
10:¥15.5262
25:¥15.2098
50:¥14.9047
2,500:¥14.3736
参考库存:11777
AG303-63G
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 DC-6000MHz 20.5dB Gain@900MHz
1:¥16.4415
25:¥12.5995
100:¥9.831
250:¥8.1473
3,000:¥6.3732
参考库存:11184
HMC305SLP4ETR
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 5-bit attenuator with 2 dB bits
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
500:¥58.9408
参考库存:3261
GRF2710
Guerrilla RF
无线和射频半导体
射频放大器 8-13GHz GaAs Gain 13.9dB
1:¥30.736
10:¥29.1992
100:¥26.9731
250:¥23.8204
2,500:¥10.2943
参考库存:13518

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