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无线和射频半导体
QPD1015L参考图片

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QPD1015L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,037.34
1037.34
25
¥899.028
22475.7
100
¥776.084
77608.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
20 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
输出功率
70 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
64 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.7 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1015LPCB401
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,QPD1015L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Proprietary SoC, 7x7, Flash size 32kB
1:¥44.183
10:¥39.7308
100:¥32.4988
250:¥30.51
500:¥27.6624
参考库存:27047
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC EM260 ZigBee 2.4GHz Network Coprocessor
1:¥98.5134
10:¥86.7501
25:¥74.9981
50:¥71.4612
3,500:¥50.0251
参考库存:27052
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODE
1:¥2.7685
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
参考库存:34740
无线和射频半导体
衰减器 Attn=1db -55C +150C RL=15dB @ 40GHz
100:¥34.352
300:¥31.4253
500:¥28.589
1,000:¥25.7414
参考库存:2167
无线和射频半导体
射频前端 Contactless ReaderIC
1:¥47.4826
10:¥40.341
100:¥34.9622
250:¥33.1994
6,000:¥22.9729
参考库存:27061
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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