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无线和射频半导体
NSVF6003SB6T1G参考图片

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NSVF6003SB6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G
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库存:15,810(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.0454
40.454
100
¥2.6103
261.03
1,000
¥2.0905
2090.5
3,000
¥2.0905
6271.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
CPH-6
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7 GHz
商标
ON Semiconductor
最大直流电集电极电流
150 mA
Pd-功率耗散
800 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NSVF6003SB6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:4174
无线和射频半导体
射频检测器
1:¥134.244
10:¥121.8705
25:¥112.9548
50:¥106.4234
1,000:¥78.6819
参考库存:8696
无线和射频半导体
射频放大器 20.5DBM 19.5DB RF GenPurp Amp
1:¥19.7524
10:¥17.8314
25:¥15.9104
100:¥14.3736
1,000:¥8.8366
参考库存:20283
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-2000MHz 75Ohm SP4T
1:¥7.2207
100:¥6.6896
参考库存:6430
无线和射频半导体
RF 开关 IC Single Control SP2T Switch
1:¥4.9946
10:¥4.4296
100:¥3.4013
250:¥2.7685
3,000:¥1.9436
参考库存:34927
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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