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分立半导体
E3M0280090D参考图片

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E3M0280090D

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET 900V 280mOhms G3 SiC MOSFET
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数量单价合计
1
¥30.6569
30.6569
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
SiC
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
364 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
54 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
3.6 S
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.5 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格,E3M0280090D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 RECT BRIDGE 50A 50V
1:¥22.7469
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
参考库存:50802
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥125.7916
5:¥120.8648
10:¥116.3335
25:¥106.8867
参考库存:50807
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,332.3265
5:¥1,299.5226
10:¥1,268.2442
25:¥1,222.1402
参考库存:50812
分立半导体
分立半导体模块 2000volt 320amp
1:¥1,368.5204
5:¥1,335.6374
10:¥1,302.438
25:¥1,284.2224
参考库存:50817
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
1:¥82.5239
10:¥75.9134
25:¥72.772
100:¥64.0823
参考库存:50822
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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