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分立半导体
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CSD17327Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
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库存：34,074(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.8928
7232
10,000
¥2.7685
27685
22,500
¥2.6894
60511.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
15.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17327Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格，CSD17327Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7850DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.6787
10:¥13.3679
100:¥10.8367
500:¥8.4524
1,000:¥8.2264
3,000:¥8.2264
参考库存:34117
IPI90N04S4-02
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥14.9838
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:14834
SI4386DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
2,500:¥6.9834
参考库存:30503
FS200R12KT4R_B11
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module 200A 1200V
1:¥1,652.5233
5:¥1,612.7925
10:¥1,572.7566
25:¥1,550.7103
参考库存:4861
VS-ETU3006FP-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 30A 600V Ultrafast 45ns
1:¥13.5261
10:¥11.2209
100:¥8.6784
500:¥7.6275
1,000:¥6.3167
参考库存:13948

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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