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分立半导体
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IPS70R600P7SAKMA1

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数量单价合计
1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.1302
51.302
100
¥3.3109
331.09
1,000
¥2.6555
2655.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
490 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
43.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPS70R600P7S SP001499714
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，IPS70R600P7SAKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1SV279TPH3F
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10:¥11.1418
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500:¥7.8422
参考库存:35404
AUIRFSL4010
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1,000:¥19.0518
3,000:¥18.0574
5,000:¥17.4472
参考库存:35409
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800:¥5.8534
参考库存:35414

  • 海量现货

    50万现货SKU

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