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FF1200R12KE3

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1
¥7,208.7446
7208.7446
5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
5 kW
封装 / 箱体
IHM 130X140-10
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FF1200R12KE3NOSA1 SP000100572
商品其它信息
优势价格，FF1200R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5934BRLG
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 24V 3W
1:¥2.8476
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
2,500:¥0.7458
6,000:¥0.69947
参考库存:47998
6A4-T
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 400V 6A
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
500:¥1.6159
1,000:¥1.243
2,500:¥1.05994
参考库存:16645
S4065KTP
Littelfuse
分立半导体
SCR SCR 400V 65A Iso
1:¥51.9461
10:¥46.7933
25:¥42.6462
100:¥38.4991
参考库存:3937
IRFU220BTU-AM002
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM
1:¥6.9156
10:¥5.7291
100:¥3.6951
1,000:¥2.9606
参考库存:22429
IRFIBE30GPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-CH 800V HEXFET MOSFET
1:¥22.8938
10:¥18.5207
100:¥16.6788
500:¥12.9046
1,000:¥10.7576
参考库存:5306

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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