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分立半导体
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NPTB00004A

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥118.0285
118.0285
10
¥107.1127
1071.127
25
¥99.2818
2482.045
50
¥93.5866
4679.33
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
16 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
11.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tray
工作频率
6 GHz
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.6 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTC124TCA-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:50053
MMSZ16T1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 16V 500mW
1:¥1.695
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:359345
BFS20W,115
Nexperia
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 TRANS HV TAPE-7
1:¥2.5312
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:16887
FDD390N15A
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET PT5 100/20V NCH
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
2,500:¥3.277
10,000:查看
参考库存:28564
BZM55B6V8-TR
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 6.8 Volt 0.5W 2%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
2,500:¥0.35369
5,000:查看
参考库存:5066

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