APT50GF120LRG详细信息_APT50GF120LRG相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	135 A
栅极—射极漏泄电流	100 nA
Pd-功率耗散	781 W
封装 / 箱体	TO-264-3
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	Through Hole
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs
单位重量	10 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
1N3611E3/TR	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	整流器	100:¥41.1094 174:¥41.1094 200:¥37.8098 500:¥34.4198 1,000:¥30.0467	参考库存:33234
1N4740APE3/TR12	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	4,000:¥4.4974 8,000:¥4.3279	参考库存:33239
RMPG06GHE3_A/100	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1A, 400V, 150NS, FS, MINIGPPRECT.	12,000:¥1.4012 26,000:¥1.3334	参考库存:33244
DMG2302UK-13	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V	10,000:¥0.37629 20,000:¥0.35369	参考库存:157732
BZD17C3V9P-E3-18	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219 ECO-E3	50,000:¥0.90626	参考库存:33251