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射频晶体管
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BFP 740FESD H6327

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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.1979
31.979
100
¥1.9549
195.49
1,000
¥1.5029
1502.9
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¥1.2882
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
45 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
47 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP74FESDH6327XT SP000890036
单位重量
1.800 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 740FESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:46034
20939010101
HARTING
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射频识别变换器工具 PROTECT COVER FOR RF-R500
暂无价格
参考库存:34752
MRF275G
MACOM
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
1:¥1,103.8857
10:¥1,041.408
参考库存:1251
MMRF1018NBR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018NB/FM4F///REEL 13 Q2 DP
500:¥388.2002
参考库存:34759
VRF2933
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥860.608
2:¥833.8722
5:¥833.6349
10:¥806.7409
参考库存:1423

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