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射频晶体管
BFQ18A,115参考图片

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BFQ18A,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ
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数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.5088
65.088
100
¥5.0059
500.59
500
¥4.4183
2209.15
1,000
¥3.4917
3491.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
18 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
0.15 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
25 V
直流电流增益 hFE 最大值
25
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
工作频率
4000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
2.6 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
4000 MHz
最大直流电集电极电流
0.15 A
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
933450430115
单位重量
51 mg
商品其它信息
优势价格,BFQ18A,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T27S020GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
1:¥201.479
5:¥198.4054
10:¥185.7946
25:¥167.0479
500:¥144.075
参考库存:35974
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
1:¥168.3587
5:¥160.9798
10:¥155.2959
25:¥135.5435
500:¥116.8759
参考库存:35979
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
100:¥453.8984
200:¥428.5412
参考库存:35984
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.6555
100:¥1.6159
1,000:¥1.2543
3,000:¥1.06785
参考库存:76143
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:2625
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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