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射频晶体管
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TGF2080

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%
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数量单价合计
100
¥74.8399
7483.99
300
¥69.9244
20977.32
500
¥65.3931
32696.55
1,000
¥61.0878
61087.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
11.5 dB
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 7 V
Id-连续漏极电流
259 mA
最大漏极/栅极电压
- 12 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.2 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Dual
工作频率
12 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
309 mS
通道数量
2 Channel
P1dB - 压缩点
29.5 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098414
商品其它信息
优势价格，TGF2080的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF275L
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
1:¥676.192
10:¥633.93
25:¥619.1044
50:¥604.3466
参考库存:39100
PTFB201402FC-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:39105
AFT20P140-4WGNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
250:¥484.0129
参考库存:39110
PD55015-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥156.8327
5:¥155.2168
10:¥144.6852
25:¥138.1538
参考库存:6644
AGR19090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 36Watt Gain 15dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:39117

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    50万现货SKU

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