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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMRF1308HSR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308HS/CFM4F///REEL 13	50:¥1,301.6696	参考库存:36377
BFR 182W H6327	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥4.7686 10:¥3.1866 100:¥1.7854 1,000:¥1.3108 3,000:¥1.11418	参考库存:21366
ARF466BG	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥372.7531 2:¥362.6057 5:¥352.5374 10:¥342.4804	参考库存:2948
MRF951	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF Transistor	1:¥34.578 10:¥28.8941 25:¥25.9674 50:¥23.052	参考库存:3980
SD4931	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz	1:¥614.72 5:¥603.42 10:¥576.30 25:¥557.09	参考库存:36388