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射频晶体管

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BFR 340L3 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.2261
22.261
100
¥1.2091
120.91
1,000
¥0.90626
906.26
15,000
¥0.66896
10034.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR340L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90 at 5 mA at 3 V
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
14000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.01 A
Pd-功率耗散
60 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR340L3E6327XTMA1 BFR34L3E6327XT SP000013558
商品其它信息
优势价格，BFR 340L3 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF085HR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF085H/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥868.9813
参考库存:34621
QPD1015
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
1:¥1,037.34
25:¥899.028
100:¥776.084
参考库存:1285
AGR21030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 7Watt Gain 14.5dB
1:¥522.512
5:¥479.4816
10:¥430.304
25:¥381.1264
参考库存:34628
RFSA3043PCK-410
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具 5MHz to 3000MHz PCBA with 5-piece sample bag
暂无价格
参考库存:34633
SRF4427
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥23.4362
10:¥18.8258
100:¥17.1308
250:¥15.4471
参考库存:34638

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