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射频晶体管

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CE3514M4

  • CEL
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
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数量单价合计
1
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9.1417
10
¥6.9721
69.721
100
¥5.0737
507.37
500
¥4.3053
2152.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
CEL
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
Id-连续漏极电流
10 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
125 mW
安装风格
SMD/SMT
封装
Bulk
配置
Single
商标
CEL
正向跨导 - 最小值
54 mS
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
4.528 mg
商品其它信息
优势价格，CE3514M4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VP5600-225
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-225
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:35007
A2T21H360-23NR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥853.15
参考库存:35012
BLV10
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥484.092
10:¥403.41
25:¥363.069
50:¥322.728
参考库存:35017
DSC5G03T0L
Panasonic
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
1:¥2.6894
10:¥1.7515
100:¥0.82264
500:¥0.62263
3,000:¥0.3842
参考库存:27131
PTRA082808NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥500.5335
参考库存:35024

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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