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射频晶体管

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BFP 720F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.2544
32.544
100
¥1.9775
197.75
1,000
¥1.5255
1525.5
3,000
¥1.3108
3932.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP720
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
25 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4-1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
13 V
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.55 mm
长度
1.4 mm
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
宽度
0.8 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP720FH6327XTSA1 BFP72FH6327XT SP000750412
商品其它信息
优势价格，BFP 720F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JTDB75
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
25:¥2,023.5023
参考库存:34997
MRF6VP3091NR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
1:¥837.782
5:¥821.4987
10:¥794.3674
25:¥760.7951
50:¥750.3426
参考库存:35002
MRFE6VP5600-225
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-225
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:35007
A2T21H360-23NR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥853.15
参考库存:35012
BLV10
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥484.092
10:¥403.41
25:¥363.069
50:¥322.728
参考库存:35017

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