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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3134
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	48
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	48 at 10 mA at 2 V, 48 at 1 mA at 2 V, 48 at 0.1 mA at 2 V, 48 at 10 mA at 5 V, 48 at 1 mA at 5 V, 48 at 0.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	8500 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	8500 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AFT20P140-4WGNR3	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V	250:¥484.0129	参考库存:39110
PD55015-E	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor	1:¥156.8327 5:¥155.2168 10:¥144.6852 25:¥138.1538	参考库存:6644
AGR19090EF	Advanced Semiconductor, Inc.	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 36Watt Gain 15dB	1:¥751.111 5:¥689.2548 10:¥618.562 25:¥547.8692	参考库存:39117
BFP 183 E7764	Infineon Technologies	射频晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	1:¥3.5369 10:¥2.6442 100:¥0.99892 1,000:¥0.7684 3,000:¥0.58421	参考库存:78021
ARF1500	Microchip / Microsemi	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥1,386.1145 2:¥1,352.7682 5:¥1,333.0158 10:¥1,314.1222	参考库存:5658