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射频晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Renesas Electronics
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	HFA3134
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	48
集电极—发射极最大电压 VCEO	11 V
发射极 - 基极电压 VEBO	4.5 V
集电极连续电流	0.026 A
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
配置	Dual
封装 / 箱体	SOT-23
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	12 V
直流电流增益 hFE 最大值	48 at 10 mA at 2 V, 48 at 1 mA at 2 V, 48 at 0.1 mA at 2 V, 48 at 10 mA at 5 V, 48 at 1 mA at 5 V, 48 at 0.1 mA at 5 V
高度	1.15 mm
长度	2.9 mm
工作频率	8500 MHz (Typ)
类型	RF Bipolar Small Signal
宽度	1.6 mm
商标	Renesas / Intersil
增益带宽产品fT	8500 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流	0.026 A
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	18 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF151	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB	1:¥415.3993 10:¥390.9574 25:¥378.7421 50:¥366.5268	参考库存:1664
STAC4932F	STMicroelectronics	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch	1:¥919.0064 5:¥902.1016 10:¥861.5346 25:¥832.7874	参考库存:34552
MRF6V12500GSR5	NXP / Freescale	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF6V12500GS/CFM2///REEL 13	50:¥2,727.6618	参考库存:34557
DU1215S	MACOM	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管	1:¥360.5378 5:¥324.4908	参考库存:1096
PTVA101K02EV-V1-R0	Wolfspeed / Cree	射频晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	50:¥4,926.3706	参考库存:34564