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射频晶体管

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MW6S010GNR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W
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数量单价合计
1
¥159.7481
159.7481
10
¥146.9226
1469.226
25
¥140.3912
3509.78
100
¥124.0966
12409.66
500
¥107.1918
53595.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
68 V
增益
18 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
2.08 mm
长度
9.7 mm
工作频率
1.5 GHz
系列
MW6S010N
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
61.4 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
零件号别名
935324159528
单位重量
548 mg
商品其它信息
优势价格,MW6S010GNR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
25:¥2,600.5707
参考库存:6788
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 40W-28V-500MHz PP
50:¥637.3878
100:¥627.5568
参考库存:40181
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
250:¥908.1697
参考库存:40186
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
600:¥237.6616
参考库存:40191
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V- 1GHz SE
1:¥539.9592
10:¥476.7922
25:¥423.0833
50:¥400.9466
参考库存:6780
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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