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射频晶体管
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TGF2819-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.9 V
Id-连续漏极电流
7.32 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
145 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
86 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
开发套件
TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1118709 772-TGF2819-FS-EVB1
商品其它信息
优势价格，TGF2819-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF158
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥207.468
10:¥191.874
25:¥184.1109
50:¥176.3478
100:¥163.8952
参考库存:6657
CGH40120P
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
250:¥2,165.8145
参考库存:40055
2304
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥1,271.702
2:¥1,241.1242
5:¥1,227.9032
10:¥1,210.23
参考库存:40060
AFT21S230-12SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ NI780-2L2L
250:¥1,072.3022
参考库存:40065
BLF278
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,236.9658
10:¥1,191.02
25:¥1,134.5426
50:¥1,121.864
参考库存:7409

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