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射频晶体管
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MAX2602ESA+

  • Maxim Integrated
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
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库存：3,760(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.1882
35.1882
25
¥27.5042
687.605
50
¥23.8204
1191.02
250
¥23.278
5819.5
1,000
¥21.2101
21210.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Maxim Integrated
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MAX2602
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
集电极—发射极最大电压 VCEO
17 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.3 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
100 at 250 mA at 3 V
高度
1.58 mm
长度
4.98 mm
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
RF Bipolar Power
宽度
3.99 mm
商标
Maxim Integrated
增益带宽产品fT
1000 MHz
最大直流电集电极电流
1.2 A
Pd-功率耗散
6.4 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
MAX2602
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，MAX2602ESA+的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1019NR4
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1019N/PLD4L///REEL 7
1:¥586.8994
5:¥569.7686
10:¥557.5533
25:¥534.1962
100:¥495.0078
参考库存:5941
MD7IC2012NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
1:¥300.4444
5:¥285.2346
10:¥280.3869
25:¥254.1144
500:¥216.7679
参考库存:38959
CGHV1J070D-GP4
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
暂无价格
参考库存:38964
D2004UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz PP
50:¥673.9659
100:¥655.3661
参考库存:38969
PD85035STR-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
600:¥181.8057
参考库存:38974

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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