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射频晶体管
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MRF581A

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数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.8941
288.941
25
¥25.9674
649.185
50
¥23.052
1152.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.5 V
集电极连续电流
200 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Macro-X
封装
Tray
工作频率
1 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
1.25 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，MRF581A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT18H357-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz 63 W AVG. 28 V
1:¥1,321.1056
5:¥1,291.6013
10:¥1,265.1706
25:¥1,246.503
150:¥1,174.2734
参考库存:38903
MAX2601ESA+T
Maxim Integrated
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap
1:¥43.7988
10:¥41.3354
25:¥33.0412
50:¥31.4253
2,500:¥20.1366
参考库存:38908
CGH40090PP
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
1:¥2,111.2581
参考库存:5437
D2202UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz SE
50:¥401.263
100:¥390.189
参考库存:38915
BYI-1F
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
75:¥772.5471
100:¥748.0374
参考库存:38920

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