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射频晶体管
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ARF475FL

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥740.3534
740.3534
2
¥717.3805
1434.761
5
¥717.1432
3585.716
10
¥694.0234
6940.234
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
900 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Box
工作频率
150 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
3 mS
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.3 V
商品其它信息
优势价格,ARF475FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
1:¥1,078.6754
2:¥1,048.866
5:¥1,024.8196
10:¥994.9198
参考库存:2394
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=160V IC=600mA
1:¥3.2318
10:¥2.0905
100:¥0.94468
1,000:¥0.5989
3,000:¥0.45313
参考库存:28131
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-500MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥9,605.00
5:¥9,451.4782
参考库存:2258
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
暂无价格
参考库存:35771
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:14725
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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