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射频晶体管
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2SC5087YTE85LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
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1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3165
23.165
100
¥1.2882
128.82
1,000
¥0.94468
944.68
3,000
¥0.81473
2444.19
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
2SC5087
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
80 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-24-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
240
商标
Toshiba
增益带宽产品fT
7 GHz
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SC5087YTE85LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR 840L3RHESD E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
15,000:¥1.4464
45,000:¥1.4012
参考库存:36166
BFR 380F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3504
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:242655
2N6439
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:2682
BFR 181W H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.5312
10:¥1.8871
100:¥0.70738
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.46104
参考库存:72704
MHT1004NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥841.7822
参考库存:36177

  • 海量现货

    50万现货SKU

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