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射频晶体管
CGHV59350F参考图片

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CGHV59350F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
输出功率
450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装
Tray
高度
5.03 mm
长度
24.26 mm
工作频率
5900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
产品
C-Band Radar HEMT
宽度
23.01 mm
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
15
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV59350F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF1K50H-TF3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,203.75
参考库存:2369
BFP 182R E7764
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.3787
10:¥2.5764
100:¥1.4012
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.84524
参考库存:47361
MMRF1304GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
1:¥294.3763
5:¥279.4716
10:¥274.6239
25:¥248.9616
500:¥212.3835
参考库存:35879
BFP 720ESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:16763
MRF6VP11KHR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
1:¥2,059.0069
5:¥2,013.1289
10:¥1,971.9404
25:¥1,942.8203
50:¥1,872.2857
参考库存:2695

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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