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射频晶体管
MAAM-009455-TR1000参考图片

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MAAM-009455-TR1000

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
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1,000
¥49.72
49720
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参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
MESFET
技术
GaAs
增益
20.5 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
375 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-20
封装
Reel
工作频率
1 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
产品
RF JFET
类型
GaAs MESFET
商标
MACOM
NF—噪声系数
5.5 dB
P1dB - 压缩点
26 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MAAM-009455-TR1000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:1427
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
1:¥122.6389
10:¥112.7288
25:¥107.802
100:¥95.2025
500:¥82.2188
参考库存:3629
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:94081
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
1:¥531.1226
参考库存:1443
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,786.3766
参考库存:34651
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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