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射频晶体管
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D1027UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz PP
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¥1,279.612
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
34.03 mm
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
22.22 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
438 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1027UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09MP055NR1
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4
1:¥145.3858
10:¥133.6225
25:¥127.7126
100:¥112.8757
500:¥97.5077
参考库存:38609
AGR09030EF
Advanced Semiconductor, Inc.
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1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
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MRFE6VP61K25HR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:5518
W2SW0016-SHLD
Wi2Wi
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WiFi / 802.11 Development Tools Shield for W2CBW0016 Module
暂无价格
参考库存:38621
PTFB192503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:38626

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