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晶体管
IKD04N60RFATMA1参考图片

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IKD04N60RFATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥7.8422
78.422
100
¥5.9664
596.64
500
¥5.2771
2638.55
1,000
¥4.1697
4169.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
75 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.41 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD04N60RF SP000942932
商品其它信息
优势价格，IKD04N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS1C300ET4G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR XTSR 3A/100V
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,500:¥1.7628
参考库存:27601
NDS0605
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
1:¥2.9945
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:326673
BUK7609-75A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
800:¥7.5484
参考库存:16565
SGB07N120
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
1:¥26.3516
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
1,000:¥13.9103
2,000:查看
参考库存:14567
STP12NM50
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.8259
参考库存:6769

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    50万现货SKU

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