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晶体管

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BSM50GD120DN2E3226

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库存:25,137(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,067.2285
1067.2285
5
¥1,046.2557
5231.2785
10
¥997.4623
9974.623
25
¥976.5573
24413.9325
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45.5 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 SP000100366
商品其它信息
优势价格,BSM50GD120DN2E3226的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual - NPN/PNP
1:¥4.1471
10:¥3.5821
100:¥2.486
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:15651
晶体管
MOSFET PT8PZ 30/25V VIS W/ 2X2
1:¥6.1472
10:¥5.085
100:¥3.277
1,000:¥2.6329
3,000:¥2.2261
参考库存:72178
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥237.7407
5:¥227.0622
10:¥219.9884
25:¥202.1683
参考库存:2355
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.6731
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:2672
晶体管
MOSFET N-CH 40V STripFET 80A
1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
1,000:¥12.2153
2,000:查看
参考库存:7234
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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