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晶体管
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FB30R06W1E3

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数量单价合计
1
¥283.3136
283.3136
5
¥280.3869
1401.9345
10
¥261.3351
2613.351
25
¥249.5718
6239.295
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
39 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
115 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FB30R06W1E3BOMA1 SP000307549
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格，FB30R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2218AL/TR
Microsemi
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100:¥71.6194
200:¥65.314
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1,000:¥56.0141
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10:¥1,829.8655
30:¥1,804.2823
50:¥1,804.2032
参考库存:32526

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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