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晶体管
TPN3300ANH,LQ参考图片

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TPN3300ANH,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 21A 27W UMOSVIII 680pF 11nC
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库存:40,518(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2998
7.2998
10
¥5.6048
56.048
100
¥3.616
361.6
1,000
¥2.8928
2892.8
3,000
¥2.4408
7322.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN3300ANH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
3.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,TPN3300ANH,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SC70-6 P-CH -25V
1:¥3.5369
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
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1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:9334
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MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥8.2942
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
参考库存:18606
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
参考库存:5923
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA124EQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:29550
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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