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晶体管
NSS35200MR6T1G参考图片

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NSS35200MR6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 35V Low VCEsat
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.8815
28.815
100
¥1.5594
155.94
1,000
¥1.1752
1175.2
3,000
¥1.00683
3020.49
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 35 V
集电极—基极电压 VCBO
- 55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.26 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS35200MR6T1G
高度
0.94 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，NSS35200MR6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP42N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
1:¥85.7557
10:¥77.2242
25:¥70.3086
100:¥63.393
参考库存:9938
SPD08P06PGBTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:26690
2N5152L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥113.4972
250:¥103.5758
500:¥93.2024
1,000:¥86.5241
参考库存:34097
2N5661
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥152.6856
250:¥140.233
500:¥129.1703
参考库存:34102
2N6989U/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥390.8896
200:¥369.058
参考库存:34107

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