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晶体管
STGP20M65DF2参考图片

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STGP20M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
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数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9101
4955.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGP20M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,STGP20M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
1:¥5.8421
10:¥4.7912
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:32227
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 930-960MHz 6Watt Gain 16dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:32232
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
参考库存:32237
晶体管
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1:¥31.3462
10:¥26.668
100:¥23.1311
250:¥21.8994
2,000:¥15.7522
4,000:查看
参考库存:11742
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC847B/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:32244
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    50万现货SKU

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