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晶体管
MUN5315DW1T1G参考图片

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MUN5315DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
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库存:89,072(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.147
2.147
10
¥1.4577
14.577
100
¥0.61472
61.472
1,000
¥0.41471
414.71
3,000
¥0.32996
989.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN, PNP
典型输入电阻器
10 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN5315DW1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
160 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
通道数量
2 Channel
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格,MUN5315DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 RC2 IGBT 15A 600V
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:7320
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,330.9479
5:¥1,298.9011
10:¥1,266.7074
25:¥1,248.9551
50:¥1,248.9551
参考库存:4982
晶体管
MOSFET N-Ch Digital
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:12992294
晶体管
MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
1:¥670.0448
100:¥644.3034
参考库存:8666
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh FET 30Vgss -80A Idm
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,000:¥2.7007
参考库存:110113
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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