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晶体管
SIHH26N60EF-T1-GE3参考图片

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SIHH26N60EF-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
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库存:34,396(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥26.8149
80444.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
25 A
Rds On-漏源导通电阻
117 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
202 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
54 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
28 ns
商品其它信息
优势价格,SIHH26N60EF-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:4485
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
5,000:¥2.2035
参考库存:26762
CEL
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
20,000:查看
参考库存:120659
晶体管
MOSFET 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.5996
参考库存:4306
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
1:¥3.616
10:¥2.7007
100:¥1.469
1,000:¥1.09836
2,000:¥0.95259
参考库存:13388
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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